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东芝携手海力士研发纳米压印技术万芳

发布时间:2020-02-14 12:30:52 阅读: 来源:建筑清水模板厂家

东芝携手海力士研发纳米压印技术

全球第2大NAND型快闪存储器厂商东芝近日发布新闻稿宣布,为加快次世代半导体露光技术“纳米压印技术”的研发脚步,已和南韩半导体大厂SK海力士正式签署契约,双方技术人员将自2015年4月起透过东芝横滨事业所携手研发NIL制程的关键技术,目标为在2017年实用化。

东芝于去年12月和SK海力士就NAND Flash侵权案一事达成和解,海力士除同意支付东芝2.78亿美元(约330亿日圆)和解金外,双方当时也宣布将携手研发被称为“纳米压印”的次世代半导体露光技术。

据日经新闻指出,东芝已于2014年开始量产全球最先端的15nm NAND Flash产品,而就现行技术来看,15nm被视为是存储器电路线幅细微化的极限,而东芝期望借由研发NIL技术、突破细微化极限,让已逼近极限的电路线幅能进一步细微化,以借此提高产品性能及成本竞争力。

日经指出,东芝目前已和Canon携手研发NIL制造设备,而东芝和SK海力士于NIL制程技术的研发成果也将回馈至制造设备的研发上。

另据日刊工业新闻指出,东芝期望藉由NIF技术的实用化来降低3D NAND Flash的成本。(精实新闻)

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